$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.

$1.8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $eV$ માં કેટલું હશે?

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

એક પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટીને વારાફરતી $3100 \mathring A$ અને $6200 \mathring A$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું જોવા મળે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર $2:1$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $(hc = 12400 \, eV \mathring A)$ શોધો.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં,ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે,ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $6.2\, eV$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ,જેના માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5\, V$ છે,તે કયા વિસ્તારમાં આવેલી છે?